第三百九十三章 需求的技术（2/3）

“估计等到第一批调试出来后就要官宣，我的升级也可以提上日程了吧，反正都已经到自家地盘上了，老板你自己过来帮我升级嘛。”

林诗琴用嗲嗲的声音讨好似的说到。

“蓬来本来就组装了euv的配套生产线啊，你自己造就是了，不要问我。”

王易有些无语。

镜片可以说是他最早开始起家的地方，连魔力核聚变的原理都是从研究镜片时找到的。

duv光刻机可以说只是‘试试水’的产品。

为啥一直用干式的光刻法？

其实就是因为euv光刻机是无法使用浸润法的，甚至euv光刻机还不能用传统的干式，而是要用‘真空’环境。

因为极紫外线已经是电离辐射，足够将空气电离了，更别说液体。

这种情况下大本营之外的当然还是duv，但蓬来上本来就是王易亲自打造的镜片配套的euv光刻体系。

结构上和以前的duv都还相当类似，完全成熟的技术。

不像阿斯麦的euv光刻机因为没有可以让极紫外线通过的镜头，需要使用反射，能量损失极为严重，每次反射都要浪费30%左右，最终只有2%的利用率。

体积增大的同时光源的高功率还需要配套冷却系统，几乎是相当于完全新开一条赛道了。

所以其实王易这边的euv光刻机出来的还要更早，而且效率和良品率也要远超！

“可是他们也有euv了呀，硅基芯片的物理极限都快到了，老板，人家要升级嘛~”

林诗琴的话也让王易有些无语。

她应该能够知道，王易在量子计算的提升上对她是有一定限制的。

毕竟量子计算的算力指数加成，配合王易的新公式算法，很容易导致失控。

但经典计算机的算力提升，王易肯定还是不会给她什么制约的。

euv光刻机，分辨率远远超过了duv光刻机。

采用的是波长，已经接近x射线的极紫外线，

理论上已经能达到硅基芯片的极限！

要知道单个的硅原子也就是，还要考虑电子隧穿效应，所以目前正常的观点中，1nm差不多就是硅基芯片的极限了。

当然，当初20nm的时候隧穿效应就已经出现，通过结构调整解决的，说不定等到1nm工艺后又找到了解决办法。

可即便这样，的硅原子大小也摆在这里，总不可能把原子分开。

这种情况下，所需要考虑的要么就是通过叠加芯片数目来增加晶体管数，采取新架构和新的方式，要么就要考虑其他材料了。

比如碳基就是一个方向，但碳基有待解决的问题太多了，麻烦还很多。